Vishay introducerar nya tredje generationens 1200 V SiC Schottky-dioder för att förbättra energieffektiviteten och tillförlitligheten hos switchade strömförsörjningsdesigner

Enheten antar MPS-strukturdesign, märkström 5 A ~ 40 A, lågt framåtspänningsfall, låg kondensatorladdning och låg omvänd läckström

Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) tillkännagav idag lanseringen av 16 nya tredje generationens 1200 V kiselkarbid (SiC) Schottky-dioder. Vishay Semiconductors har en hybrid PIN Schottky (MPS)-design med högt överspänningsskydd, lågt framåtspänningsfall, låg kapacitiv laddning och låg omvänd läckström, vilket hjälper till att förbättra energieffektiviteten och tillförlitligheten hos växlande strömförsörjningskonstruktioner.

Den nya generationen SiC-dioder som presenteras idag inkluderar 5 A TO 40 A-enheter i TO-220AC 2L, TO-247AD 2L och TO-247AD 3L plug-in-paket och D2PAK 2L (TO-263AB 2L) ytmonteringspaket. På grund av MPS-strukturen – med hjälp av laserglödgningsteknik för förtunning – är diodkondensatorladdningen så låg som 28 nC och framåtspänningsfallet reduceras till 1,35 V. Dessutom är enhetens typiska omvända läckström vid 25 °C endast 2,5 µA, vilket minskar on-off-förlusterna och säkerställer hög energieffektivitet under lätta och obelastade perioder. Till skillnad från ultrasnabba återställningsdioder har tredje generationens enheter liten eller ingen återhämtning, vilket möjliggör ytterligare effektivitetsvinster.

Typiska applikationer för kiselkarbiddioder inkluderar FBPS- och LLC-omvandlare för AC/DC-effektfaktorkorrigering (PFC) och DC/DC UHF-utgångslikriktning för solcellsväxelriktare, energilagringssystem, industriella enheter och verktyg, datacenter och mer. I dessa tuffa applikationer fungerar enheten vid temperaturer upp till +175°C och ger skydd mot överspänningar upp till 260 A. Dessutom använder D2PAK 2L-paketdioden ett hög CTI ³ 600 mjukningsmaterial för att säkerställa utmärkt isolering när spänningen stiger.

Enheten är mycket tillförlitlig, RoHS-kompatibel, halogenfri och har klarat 2 000 timmars testning av hög temperatur omvänd bias (HTRB) och 2 000 termiska cykler temperaturcykler.